CD8550C Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CD8550C 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.7 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 125 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 35 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 120
Encapsulados: TO-92
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CD8550C datasheet
cd8550.pdf
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON PLANAR TRANSISTOR CD8550 TO-92 CBE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Emitter Voltage VCEO 25 V Collector -Base Voltage VCBO 40 V Emitter Base Voltage VEBO 6.0 V Collector Current IC 2.0 A Collector Power Dissipation PC 1.0 W Operating And Storage Ju
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Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: KRC822E | 2N6393 | NB111EY | RN47A1 | KRA759F | KT983A | KSC900G
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Liste
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