Биполярный транзистор 2N1199 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N1199
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 12
Корпус транзистора: TO9
Другие транзисторы... 2N1191 , 2N1192 , 2N1193 , 2N1194 , 2N1195 , 2N1196 , 2N1197 , 2N1198 , 9014 , 2N1199A , 2N120 , 2N1200 , 2N1201 , 2N1202 , 2N1203 , 2N1204 , 2N1204A .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050