Биполярный транзистор 2N1199 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 2N1199
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 12
   Корпус транзистора: TO9

Другие транзисторы... 2N1191 , 2N1192 , 2N1193 , 2N1194 , 2N1195 , 2N1196 , 2N1197 , 2N1198 , TIP2955 , 2N1199A , 2N120 , 2N1200 , 2N1201 , 2N1202 , 2N1203 , 2N1204 , 2N1204A .

History: KRA106S