CDD1933 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CDD1933  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: TO-126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для CDD1933

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CDD1933 даташит

 ..1. Size:84K  cdil
 cdd1933.pdf pdf_icon

CDD1933

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLASTIC POWER DARLINGTON TRANSISTOR CDD1933 (9AW) TO126 MARKING CDD 1933 Low Freq. Power Amp. Built in Damper Diode Complementry CDB 1342 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 80 V Collector -Emitter Voltage VCEO 80 V Em

Другие транзисторы: C45C11, C45C5, C45C8, CD13003, CD13003D, CD3968, CDB1370, CDB1370EF, BC557, CDD2061, CDD2395, CDL6718, CFA1012, CFA1012O, CFA1012Y, CFB1342, CFB1370