Справочник транзисторов. CMBA847E

 

Биполярный транзистор CMBA847E Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: CMBA847E
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
   Корпус транзистора: SOT-23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

CMBA847E Datasheet (PDF)

 7.1. Size:129K  cdil
 cmba847.pdf pdf_icon

CMBA847E

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CMBA847SOT23PIN CONFIGURATION (NPN)1 = BASE2 = EMITTER3 = COLLECTOR3 MARKING : AS BELOW12ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 50 VCollector -Emitter Voltage VCEO 50 VEmitter Base Voltage VEB

 9.1. Size:129K  cdil
 cmba857.pdf pdf_icon

CMBA847E

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CMBA857SOT23PIN CONFIGURATION (PNP)1 = BASE2 = EMITTER3 = COLLECTOR3MARKING : AS BELOW12ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 60 VCollector -Emitter Voltage VCEO 50 VEmitter Base Voltage VEBO

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: 2SB844 | KT8143M | KSC900G | Q-00369C | BF883 | CS9012D | 2SA1408

 

 
Back to Top

 


 
.