Справочник транзисторов. CMBT200

 

Биполярный транзистор CMBT200 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: CMBT200
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

CMBT200 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:135K  cdil
 cmbt200.pdf pdf_icon

CMBT200

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CMBT200CMBT200APIN CONFIGURATION (PNP)1 = BASESOT232 = EMITTER3 = COLLECTOR3MARKING : AS BELOW12Designed for General Purpose Amplifier Applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C unless otherwise noted)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT

 9.1. Size:75K  rectron
 cmbt2222a.pdf pdf_icon

CMBT200

CMBT2222ANPN Silicon Planar Epitaxial Transistors Pin configuration:1. BASE2. EMITTER3. COLLECTOR312Unit: inch (mm)Absolute Maximum RatingsSymbol Value UNITCollector-base voltage (open emitter)VCBOmax 75 VCollector-emmitter voltage (open base)VCEO max 40 VEmmitter base voltage (open collector)VEBO max 6.0 VICCollector current (d.c.) max 600 mATotal

 9.2. Size:79K  rectron
 cmbt2907.pdf pdf_icon

CMBT200

CMBT2907 PNP Silicon Planar Epitaxial Transistors Pin configuration:1. BASE2. EMITTER3. COLLECTOR312Unit: mmSOT-23 SMD PackageAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 oC unless specified otherwise) SYMBOL CMBT2907 CMBT2907A UNITSDESCRIPTION-VCEOCollector Emitter Voltage 40 60Collector Base Voltage -VCBO 60 60 V-VEBOEmitter Base Voltage 5.0 5.0-IC 600 mACollector

 9.3. Size:291K  cdil
 cmbt2222 a.pdf pdf_icon

CMBT200

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySOT-23 Formed SMD Package CMBT2222CMBT2222ASILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORSNPN silicon transistorsMarkingPACKAGE OUTLINE DETAILSCMBT2222 = lB ALL DIMENSIONS IN mmCMBT2222A = lPPin configuration1 = BASE2 = EMITTER3 = COLLECTOR312ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCMBT2222 C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

 

 
Back to Top

 


 
.