CMBT2369. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: CMBT2369
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Корпус транзистора: SOT-23
Аналоги (замена) для CMBT2369
- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам
CMBT2369 даташит
cmbt2369.pdf
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SOT-23 Formed SMD Package CMBT2369 SILICON PLANAR EPITAXIAL SWITCHING TRANSISTOR N P N transistor Marking PACKAGE OUTLINE DETAILS CMBT2369 = lJ ALL DIMENSIONS IN mm Pin configuration 1 = BASE 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR 3 1 2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Collector base voltage (open emitter
cmbt2222a.pdf
CMBT2222A NPN Silicon Planar Epitaxial Transistors Pin configuration 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR 3 1 2 Unit inch (mm) Absolute Maximum Ratings Symbol Value UNIT Collector-base voltage (open emitter) VCBO max 75 V Collector-emmitter voltage (open base) VCEO max 40 V Emmitter base voltage (open collector) VEBO max 6.0 V IC Collector current (d.c.) max 600 mA Total
cmbt2907.pdf
CMBT2907 PNP Silicon Planar Epitaxial Transistors Pin configuration 1. BASE 2. EMITTER 3. COLLECTOR 3 1 2 Unit mm SOT-23 SMD Package Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 oC unless specified otherwise) SYMBOL CMBT2907 CMBT2907A UNITS DESCRIPTION -VCEO Collector Emitter Voltage 40 60 Collector Base Voltage -VCBO 60 60 V -VEBO Emitter Base Voltage 5.0 5.0 -IC 600 mA Collector
cmbt200.pdf
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CMBT200 CMBT200A PIN CONFIGURATION (PNP) 1 = BASE SOT23 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR 3 MARKING AS BELOW 1 2 Designed for General Purpose Amplifier Applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C unless otherwise noted) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT
Другие транзисторы... CLD863 , CMBA847E , CMBA847F , CMBA847G , CMBA857E , CMBA857F , CMBT200 , CMBT200A , S9013 , CMBT2484 , CMBT4123 , CMBT4124 , CMBT4125 , CMBT4126 , CMBT4401 , CMBT4403 , CMBT5087 .
History: CLD667A | 2N2791 | CMBA857E
History: CLD667A | 2N2791 | CMBA857E
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mn2488 datasheet | c2026 transistor | 2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60







