Биполярный транзистор CMBT2369 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: CMBT2369
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: SOT-23
Аналог (замена) для CMBT2369
CMBT2369 Datasheet (PDF)
cmbt2369.pdf

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySOT-23 Formed SMD Package CMBT2369SILICON PLANAR EPITAXIAL SWITCHING TRANSISTORNP N transistorMarkingPACKAGE OUTLINE DETAILSCMBT2369 = lJALL DIMENSIONS IN mmPin configuration1 = BASE2 = EMITTER3 = COLLECTOR312ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCollectorbase voltage (open emitter
cmbt2222a.pdf

CMBT2222ANPN Silicon Planar Epitaxial Transistors Pin configuration:1. BASE2. EMITTER3. COLLECTOR312Unit: inch (mm)Absolute Maximum RatingsSymbol Value UNITCollector-base voltage (open emitter)VCBOmax 75 VCollector-emmitter voltage (open base)VCEO max 40 VEmmitter base voltage (open collector)VEBO max 6.0 VICCollector current (d.c.) max 600 mATotal
cmbt2907.pdf

CMBT2907 PNP Silicon Planar Epitaxial Transistors Pin configuration:1. BASE2. EMITTER3. COLLECTOR312Unit: mmSOT-23 SMD PackageAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 oC unless specified otherwise) SYMBOL CMBT2907 CMBT2907A UNITSDESCRIPTION-VCEOCollector Emitter Voltage 40 60Collector Base Voltage -VCBO 60 60 V-VEBOEmitter Base Voltage 5.0 5.0-IC 600 mACollector
cmbt200.pdf

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CMBT200CMBT200APIN CONFIGURATION (PNP)1 = BASESOT232 = EMITTER3 = COLLECTOR3MARKING : AS BELOW12Designed for General Purpose Amplifier Applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C unless otherwise noted)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT
Другие транзисторы... CLD863 , CMBA847E , CMBA847F , CMBA847G , CMBA857E , CMBA857F , CMBT200 , CMBT200A , 2SB817 , CMBT2484 , CMBT4123 , CMBT4124 , CMBT4125 , CMBT4126 , CMBT4401 , CMBT4403 , CMBT5087 .
History: BDX40-7 | 2SC5253



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mn2488 datasheet | c2026 transistor | 2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60