CMBT5550 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CMBT5550  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: SOT-23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для CMBT5550

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CMBT5550 даташит

 ..1. Size:162K  cdil
 cmbt5550.pdf pdf_icon

CMBT5550

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SOT-23 Formed SMD Package CMBT5550 SILICON N P N HIGH VOLTAGE TRANSISTOR N P N transistor Marking CMBT5550 = 1F Pin configuration 1 = BASE 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR 3 1 2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Collector base voltage (open emitter) VCBO max. 160 V Collector emitter voltage

 7.1. Size:324K  cdil
 cmbt5551.pdf pdf_icon

CMBT5550

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SOT-23 Formed SMD Package CMBT5551 SILICON N P N HIGH VOLTAGE TRANSISTOR N P N transistor Marking CMBT5551 = G1 Pin configuration 1 = BASE 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR 3 1 2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Collector base voltage (open emitter) VCBO max. 180 V Collector emitter voltage

 9.1. Size:221K  cdil
 cmbt5088 89.pdf pdf_icon

CMBT5550

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SOT-23 Formed SMD Package CMBT5088 CMBT5089 NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS N P N transistors PACKAGE OUTLINE DETAILS Marking ALL DIMENSIONS IN mm CMBT5088 = 1Q CMBT5089 = 1R Pin configuration 1 = BASE 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR 3 1 2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS 5088 5089 Colle

 9.2. Size:162K  cdil
 cmbt5401.pdf pdf_icon

CMBT5550

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SOT-23 Formed SMD Package CMBT5401 SILICON P N P HIGH VOLTAGE TRANSISTOR P N P transistor Marking CMBT5401 = 2L Pin configuration 1 = BASE 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR 3 1 2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Collector base voltage (open emitter) VCBO max. 160 V Collector emitter volt

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: CMBT4126, CMBT4401, CMBT4403, CMBT5087, CMBT5088, CMBT5089, CMBT5400, CMBT5401, 2SC2240, CMBT5551, CMBT6517, CMBT6520, CMBT8050, CMBT8050C, CMBT8050D, CMBT8050E, CMBT8098