Справочник транзисторов. 2N6105

 

Биполярный транзистор 2N6105 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N6105
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 36 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO218
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2N6105 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:149K  motorola
2n6107 2n6111 2n6288 2n6109 2n6292.pdfpdf_icon

2N6105

Order this documentMOTOROLAby 2N6107/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA2N6057 thru 2N6059(See 2N6050)Complementary Silicon PlasticPNPPower Transistors 2N6107. . . designed for use in generalpurpose amplifier and switching applications.2N6109* DC Current Gain Specified to 7.0 AmpereshFE = 30150 @ IC = 3.0 Adc 2N6111, 2N6288hFE = 2.3 (Min) @ IC = 7.0 Adc All

 9.2. Size:48K  st
2n6107 2n6111.pdfpdf_icon

2N6105

2N61072N6111SILICON PNP SWITCHING TRANSISTORS STMicroelectronics PREFERREDSALESTYPE PNP TRANSISTORS APPLICATIONS: LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIALEQUIPMENT 321DESCRIPTION The 2N6107 and 2N6111 are epitaxial-base PNPTO-220silicon transistors in Jedec TO-220 plasticpackage. They are intended for a wide variety ofmedium power switching and linear applications

 9.3. Size:70K  central
2n6107 2n6109 2n6111 2n6288 2n6290 2n6292.pdfpdf_icon

2N6105

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

 9.4. Size:241K  onsemi
2n6107g 2n6109g 2n6111g 2n6288g 2n6292g.pdfpdf_icon

2N6105

2N6107, 2N6109, 2N6111 (PNP),2N6288, 2N6292 (NPN)Complementary SiliconPlastic Power TransistorsThese devices are designed for use in general-purpose amplifier andswitching applications.www.onsemi.comFeatures7 AMPERE High DC Current Gain High Current Gain - Bandwidth ProductPOWER TRANSISTORS TO-220 Compact PackageCOMPLEMENTARY SILICON These Devices are Pb-

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: MJW3281AT4TL | MP25 | T1623 | 2SC34 | 2SC1972 | KRC242M | DTC123YKA

 

 
Back to Top

 


 
.