Справочник транзисторов. CMMT591

 

Биполярный транзистор CMMT591 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: CMMT591

Маркировка: 591

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора: SOT-23

Аналоги (замена) для CMMT591

 

 

CMMT591 Datasheet (PDF)

1.1. cmmt591.pdf Size:144K _cdil

CMMT591
CMMT591

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SOT-23 Formed SMD Package CMMT591 SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS PNP transistor Marking CMMT = 591 Pin configuration 1 = BASE 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR 3 1 2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Collector-base voltage (open emitter) VCBO max. 80 V Collector-emitter voltage (open base) VCEO max.

1.2. cmmt591a.pdf Size:131K _cdil

CMMT591
CMMT591

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CMMT591A SOT-23 PIN CONFIGURATION (PNP) 1 = BASE 2 = EMITTER 3 = COLLECTOR 3 MARKING: 59A 1 2 Complementary CMMT491A ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 40 V Collector -Emitter Voltage VCEO 40 V Emi

 

Другие транзисторы... 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2N32 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N4401 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2N3208 , 2N3209 , 2N3209AQF .

 

 
Back to Top