Справочник транзисторов. CMMT591

 

Биполярный транзистор CMMT591 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: CMMT591
   Маркировка: 591
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для CMMT591

 

 

CMMT591 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:144K  cdil
cmmt591.pdf

CMMT591
CMMT591

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySOT-23 Formed SMD Package CMMT591SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORSPNP transistorMarkingCMMT = 591Pin configuration1 = BASE2 = EMITTER3 = COLLECTOR312ABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCollector-base voltage (open emitter) VCBO max. 80 VCollector-emitter voltage (open base) VCEO max.

 0.1. Size:131K  cdil
cmmt591a.pdf

CMMT591
CMMT591

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CMMT591A SOT-23PIN CONFIGURATION (PNP)1 = BASE2 = EMITTER3 = COLLECTOR3 MARKING: 59A12Complementary CMMT491AABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 40 VCollector -Emitter Voltage VCEO 40 VEmi

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top