CN650. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CN650

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для CN650

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CN650 даташит

 ..1. Size:145K  cdil
 cn650 cn651.pdf pdf_icon

CN650

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS CN650 / CN651 TO-92 Plastic Package C B E Complementary CP750 and CP751 Use in Wide Variety of Industrial and Consumer Applications Including Lamp and Solenoid Drivers and Audio Amplifier ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C ) DESCRIPTION SYMBOL CN650 CN

Другие транзисторы: CN304, CN450, CN451, CN452, CN453, CN454, CN455, CN649, 2SC4793, CN651, CN652, CN653, CN654, CN655, CN656, CN657, CN8050