Справочник транзисторов. CN8050D

 

Биполярный транзистор CN8050D Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: CN8050D
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
   Корпус транзистора: TO-92
 

 Аналог (замена) для CN8050D

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CN8050D Datasheet (PDF)

 8.1. Size:227K  cdil
 cn8050 cn8550 c d.pdf pdf_icon

CN8050D

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanySILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS CN8050 NPNCN8550 PNPTO-92Plastic PackageCBEABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITSVCEOCollector Emitter Voltage 25 VVCBOCollector Base Voltage 40 VVEBOEmitter Base Voltage 6.0 VICCollector Current 800 mAICMPeak Colle

Другие транзисторы... CN652 , CN653 , CN654 , CN655 , CN656 , CN657 , CN8050 , CN8050C , TIP31 , CN8550 , CN8550C , CN8550D , CNL635 , CNL637 , CNL639 , CO38P , CP107 .

History: 40312 | D44C5 | 3DG2881

 

 
Back to Top

 


 
.