Справочник транзисторов. CSB1116G

 

Биполярный транзистор CSB1116G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: CSB1116G
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: TO-92
 

 Аналог (замена) для CSB1116G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSB1116G Datasheet (PDF)

 7.1. Size:263K  cdil
 csb1116.pdf pdf_icon

CSB1116G

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CSB1116CSB1116ATO-92BCEBCEAudio Frequency Power Amplifier And Medium Speed SwitchingComplementary CSD1616/1616AABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 deg C)DESCRIPTION SYMBOL CSB1116 CSB1116A UNITCollector -Base Voltage VCBO 60 80 VCollector -Emitt

Другие транзисторы... CSA988P , CSAL1013 , CSAL928A , CSB1058 , CSB1058A , CSB1058B , CSB1116 , CSB1116A , 2N5551 , CSB1116L , CSB1116Y , CSB1181 , CSB1182 , CSB1184 , CSB1272 , CSB1370 , CSB1370D .

History: HSB857 | BDY82A

 

 
Back to Top

 


 
.