Справочник транзисторов. CSB1370D

 

Биполярный транзистор CSB1370D Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: CSB1370D
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO-220
 

 Аналог (замена) для CSB1370D

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSB1370D Datasheet (PDF)

 7.1. Size:113K  cdil
 csb1370.pdf pdf_icon

CSB1370D

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR CSB1370(9AW)TO-220MARKING : AS BELOWDesigned For AF Power Amplifier.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 60 VCollector -Emitter Voltage VCEO 60 VEmitter- Base Voltage VEBO 5.0 VCollector C

Другие транзисторы... CSB1116G , CSB1116L , CSB1116Y , CSB1181 , CSB1182 , CSB1184 , CSB1272 , CSB1370 , 2N3904 , CSB1370E , CSB1370F , CSB1412 , CSB1426 , CSB1426P , CSB1426Q , CSB1426R , CSB1436 .

History: HSE2012 | 2N4348

 

 
Back to Top

 


 
.