CSB1370D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSB1370D

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO-220

 Аналоги (замена) для CSB1370D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSB1370D даташит

 7.1. Size:113K  cdil
 csb1370.pdf pdf_icon

CSB1370D

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR CSB1370 (9AW) TO-220 MARKING AS BELOW Designed For AF Power Amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 60 V Collector -Emitter Voltage VCEO 60 V Emitter- Base Voltage VEBO 5.0 V Collector C

Другие транзисторы: CSB1116G, CSB1116L, CSB1116Y, CSB1181, CSB1182, CSB1184, CSB1272, CSB1370, BC548, CSB1370E, CSB1370F, CSB1412, CSB1426, CSB1426P, CSB1426Q, CSB1426R, CSB1436