Биполярный транзистор CSB1370F Даташит. Аналоги
Наименование производителя: CSB1370F
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
Корпус транзистора: TO-220
Аналог (замена) для CSB1370F
CSB1370F Datasheet (PDF)
csb1370.pdf

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR CSB1370(9AW)TO-220MARKING : AS BELOWDesigned For AF Power Amplifier.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 60 VCollector -Emitter Voltage VCEO 60 VEmitter- Base Voltage VEBO 5.0 VCollector C
Другие транзисторы... CSB1116Y , CSB1181 , CSB1182 , CSB1184 , CSB1272 , CSB1370 , CSB1370D , CSB1370E , 13007 , CSB1412 , CSB1426 , CSB1426P , CSB1426Q , CSB1426R , CSB1436 , CSB1436P , CSB1436Q .
History: CJF15031 | 2SC849 | 3DK101 | CX956B
History: CJF15031 | 2SC849 | 3DK101 | CX956B



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
k2645 | tip3055 equivalent | 3sk73 | 13n10 mosfet | 2n3565 transistor | datasheet irfz44n | 2sd1047 transistor | mj802