CSB621S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CSB621S  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 170

Корпус транзистора: TO-92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для CSB621S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSB621S даташит

 8.1. Size:238K  cdil
 csb621 621a q r s.pdf pdf_icon

CSB621S

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS CSB621, CSB621A TO-92 Plastic Package B C E AF Output Amplifier ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) DESCRIPTION SYMBOL CSB621 CSB621A UNITS VCEO Collector Emitter Voltage 25 50 V VCBO Collector Base Voltage 30 60 V VEBO Emitter Base Voltage 5.0 V I

Другие транзисторы: CSB564AY, CSB612, CSB621, CSB621A, CSB621AQ, CSB621AS, CSB621Q, CSB621R, BC546, CSB631, CSB631D, CSB631E, CSB631F, CSB631K, CSB631KD, CSB631KE, CSB631KF