Справочник транзисторов. CSD669B

 

Биполярный транзистор CSD669B Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: CSD669B
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 14 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO-126
 

 Аналог (замена) для CSD669B

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSD669B Datasheet (PDF)

 8.1. Size:87K  cdil
 csb649 a csd669-a.pdf pdf_icon

CSD669B

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyTO-126 (SOT-32) Plastic Package CSB649, CSB649ACSD669, CSD669ACSB649, 649A PNP PLASTIC POWER TRANSISTORSCSD669, 669A NPN PLASTIC POWER TRANSISTORSLow frequency Power AmplifierPIN CONFIGURATION1. EMITTER2. COLLECTOR3. BASE123ALL DIMENSIONS IN MMABSOLUTE MAXIMUM RATINGSABSOLUTE

Другие транзисторы... CSB649AC , CSB649B , CSB649C , CSB649D , CSD669 , CSD669A , CSD669AB , CSD669AC , 2SD313 , CSD669C , CSD669D , CSB737 , CSB737Q , CSB737R , CSB737S , CSB744 , CSB744A .

 

 
Back to Top

 


 
.