CSD669B Todos los transistores

 

CSD669B Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CSD669B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
   Tensión colector-base (Vcb): 180 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 14 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO-126
 

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Principales características: CSD669B

 8.1. Size:87K  cdil
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CSD669B

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company TO-126 (SOT-32) Plastic Package CSB649, CSB649A CSD669, CSD669A CSB649, 649A PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS CSD669, 669A NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS Low frequency Power Amplifier PIN CONFIGURATION 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE 1 2 3 ALL DIMENSIONS IN MM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ABSOLUTE

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History: 2N502B

 

 
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