CSD669D - описание и поиск аналогов

 

CSD669D - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CSD669D
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 14 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
   Корпус транзистора: TO-126

 Аналоги (замена) для CSD669D

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSD669D - технические параметры

 8.1. Size:87K  cdil
 csb649 a csd669-a.pdf pdf_icon

CSD669D

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company TO-126 (SOT-32) Plastic Package CSB649, CSB649A CSD669, CSD669A CSB649, 649A PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS CSD669, 669A NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS Low frequency Power Amplifier PIN CONFIGURATION 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE 1 2 3 ALL DIMENSIONS IN MM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ABSOLUTE

Другие транзисторы... CSB649C , CSB649D , CSD669 , CSD669A , CSD669AB , CSD669AC , CSD669B , CSD669C , S9013 , CSB737 , CSB737Q , CSB737R , CSB737S , CSB744 , CSB744A , CSB744AO , CSB744AR .

 

 
Back to Top

 


 
.