CSC3329GR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSC3329GR

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6.2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для CSC3329GR

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSC3329GR даташит

 7.1. Size:378K  cdil
 csc3329 csa1316.pdf pdf_icon

CSC3329GR

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR CSC3329 TO-92 Plastic Package Complementary CSA1316 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCEO Collector Emitter Voltage 80 V VCBO Collector Base Voltage 80 V VEBO Emitter Base Voltage 5 V IC Col

Другие транзисторы: CSC3199BL, CSC3199GR, CSC3199O, CSC3199Y, CSC3255, CSC3255S, CSC3329, CSC3329BL, S9014, CSC3331, CSC3331R, CSC3331S, CSC3331T, CSC3331TU, CSC3331U, CSC3331V, CSC3420