CSD655E datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CSD655E  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: TO-92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для CSD655E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSD655E даташит

 8.1. Size:86K  cdil
 csd655.pdf pdf_icon

CSD655E

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CSD655 (9AW) TO-92 BCE Marking As Below ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C unless otherwise specified) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 30 V Collector -Emitter Voltage VCEO 15 V Emitter Base Voltage VEBO 5.0 V Collector Curre

Другие транзисторы: CSD600F, CSD600K, CSD600KD, CSD600KE, CSD600KF, CSD611, CSD655, CSD655D, TIP31C, CSD655F, CSD786, CSD786Q, CSD786R, CSD786S, CSD794, CSD794A, CSD794AO