Справочник транзисторов. CSD655E

 

Биполярный транзистор CSD655E Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: CSD655E
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
   Корпус транзистора: TO-92
 

 Аналог (замена) для CSD655E

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSD655E Datasheet (PDF)

 8.1. Size:86K  cdil
 csd655.pdf pdf_icon

CSD655E

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CSD655(9AW)TO-92BCEMarking : As BelowABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C unless otherwise specified)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 30 VCollector -Emitter Voltage VCEO 15 VEmitter Base Voltage VEBO 5.0 VCollector Curre

Другие транзисторы... CSD600F , CSD600K , CSD600KD , CSD600KE , CSD600KF , CSD611 , CSD655 , CSD655D , 100DA025D , CSD655F , CSD786 , CSD786Q , CSD786R , CSD786S , CSD794 , CSD794A , CSD794AO .

History: BUX51SMD05 | 2N6655B | 2N6292 | 5488-1

 

 
Back to Top

 


 
.