CVL640 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CVL640  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 135 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 9 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO-92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для CVL640

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CVL640 даташит

 ..1. Size:142K  cdil
 cvl639 cvl640.pdf pdf_icon

CVL640

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS CVL639 PNP CVL640 TO-92 Plastic Package E CB Driver Stages of Audio Amplifier Application ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITS VCBO Collector Base Voltage 150 V VCEO Collector Emitter Voltage 135 V VEBO Emitter Base Voltage 5.0

Другие транзисторы: CSD882E, CSD882P, CSD882Q, CSD882R, CSDL468, CSL13003, CTU83, CVL639, TIP35C, MZT3055, P2N2369, P2N2369A, P2N2907A, PN100, PN200, 2CF2325, SL100