BUF508A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BUF508A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 125 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO-220FP

 Аналоги (замена) для BUF508A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUF508A даташит

 0.1. Size:153K  cdil
 buf508a1.pdf pdf_icon

BUF508A

Q Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN HIGH VOLTAGE HIGH SPEED SILICON POWER TRANSISTOR BUF508A TO-220FP Fully Isolated Plastic Package Applications High voltage, high - speed switching transistor in TO - 220FP package envelope intended for use in horizontal deflection of colour television circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. D

Другие транзисторы: 2N23867, 2N3055HV, 2N6371HV, A1941, BD237S, BD675BPL, BF422BPL, BU908F, TIP2955, BUX84A, C5198, CD13002, CD81, CD83, CDL13005, CDL13005D, CDL13005R