CJD180 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CJD180

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO-252 DPAK

 Аналоги (замена) для CJD180

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CJD180 даташит

 0.1. Size:277K  cdil
 cjd175-cjd180.pdf pdf_icon

CJD180

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company CJD176 EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS CJD175 CJD178 CJD177 CJD180 CJD179 NPN PNP DPAK (TO-252) Plastic Package Intended for use in Medium Power Linear Switching Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL CJD175 CJD177 CJD179 UNIT CJD176 CJD178 CJD180 Collector -Emitter V

Другие транзисторы: CFD2375Q, CJD110, CJD115, CJD175, CJD176, CJD177, CJD178, CJD179, BD335, CJD204R, CJD3439, CJD81, CJD86, CJE13007, CJF100, CJF101, CJF102