Биполярный транзистор CJD180 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CJD180
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO-252 DPAK
CJD180 Datasheet (PDF)
0.1. Size:277K cdil
cjd175-cjd180.pdf
cjd175-cjd180.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyCJD176 EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS CJD175CJD178CJD177CJD180CJD179NPN PNPDPAK (TO-252)Plastic PackageIntended for use in Medium Power Linear Switching ApplicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGSDESCRIPTION SYMBOL CJD175 CJD177 CJD179 UNITCJD176 CJD178 CJD180Collector -Emitter V
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050