Биполярный транзистор CSA709G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CSA709G
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: TO-92
CSA709G Datasheet (PDF)
csa709 csc1009.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP/NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS CSA709 PNPCSC1009 NPNTO-92CBEHigh Voltage Amplifier.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C )DESCRIPTION SYMBOL CSA709 CSC1009 UNITCollector -Base Voltage VCBO 160 160 VCollector -Emitter Voltage VCEO 150 140 VEmitter -Base Voltage VEBO 8.0 8.0
csc1008 csa708.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN/PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS CSC1008 NPNCSA708 PNPTO-92CBELow Frequency Amplifier.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C unless otherwise specified)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 80 VCollector -Emitter Voltage VCEO 60 VEmitter -Base Voltage VEBO
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050