CSA709G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CSA709G  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TO-92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для CSA709G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSA709G даташит

 8.1. Size:188K  cdil
 csa709 csc1009.pdf pdf_icon

CSA709G

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP/NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS CSA709 PNP CSC1009 NPN TO-92 CBE High Voltage Amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C ) DESCRIPTION SYMBOL CSA709 CSC1009 UNIT Collector -Base Voltage VCBO 160 160 V Collector -Emitter Voltage VCEO 150 140 V Emitter -Base Voltage VEBO 8.0 8.0

 9.1. Size:217K  cdil
 csc1008 csa708.pdf pdf_icon

CSA709G

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN/PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS CSC1008 NPN CSA708 PNP TO-92 CBE Low Frequency Amplifier. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C unless otherwise specified) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 80 V Collector -Emitter Voltage VCEO 60 V Emitter -Base Voltage VEBO

Другие транзисторы: CSA673C, CSA673D, CSA708, CSA708G, CSA708O, CSA708R, CSA708Y, CSA709, B647, CSA709O, CSA709Y, CSA715, CSA715B, CSA715C, CSA715D, CSA733, CSA733K