Справочник транзисторов. CSA709O

 

Биполярный транзистор CSA709O - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: CSA709O
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для CSA709O

 

 

CSA709O Datasheet (PDF)

 8.1. Size:188K  cdil
csa709 csc1009.pdf

CSA709O
CSA709O

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP/NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS CSA709 PNPCSC1009 NPNTO-92CBEHigh Voltage Amplifier.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C )DESCRIPTION SYMBOL CSA709 CSC1009 UNITCollector -Base Voltage VCBO 160 160 VCollector -Emitter Voltage VCEO 150 140 VEmitter -Base Voltage VEBO 8.0 8.0

 9.1. Size:217K  cdil
csc1008 csa708.pdf

CSA709O
CSA709O

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyNPN/PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTORS CSC1008 NPNCSA708 PNPTO-92CBELow Frequency Amplifier.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C unless otherwise specified)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 80 VCollector -Emitter Voltage VCEO 60 VEmitter -Base Voltage VEBO

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top