Биполярный транзистор CSB1086P - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CSB1086P
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 82
Корпус транзистора: TO-126
CSB1086P Datasheet (PDF)
csb1065.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP PLASTIC POWER TRANSISTORCSB1065TO126 Plastic PackageECBComplementary CSD1506Low Frequency Power AmplifierABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25C unless specified otherwise)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITVCBOCollector Base Voltage(open emitter) >60 VCollector Emitter Voltage (open b
csb1058.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR CSB1058TO-92BCEBCELow Frequency Power Amplifier.Complementary CSD1489ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C unless otherwise specified)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage BVCBO 20 VCollector Emitter Voltage BVCEO 16 VEmitter B
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050