Биполярный транзистор CSB507 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: CSB507
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO-220
CSB507 Datasheet (PDF)
..1. Size:240K cdil
csb507 csd313.pdf
csb507 csd313.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyTO-220 Plastic Package CSB507, CSD313CSB507 PNP PLASTIC POWER TRANSISTORCSD313 NPN PLASTIC POWER TRANSISTORLow frequency Power Amplifier ApplicationsPIN CONFIGURATION41. BASE2. COLLECTOR3. EMITTER4. COLLECTOR123CDIM MIN. MAX.EBFA 14.42 16.51B 9.63 10.67C 3.56 4.83
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
