CSB507F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSB507F

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: TO-220

 Аналоги (замена) для CSB507F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSB507F даташит

 8.1. Size:240K  cdil
 csb507 csd313.pdf pdf_icon

CSB507F

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company TO-220 Plastic Package CSB507, CSD313 CSB507 PNP PLASTIC POWER TRANSISTOR CSD313 NPN PLASTIC POWER TRANSISTOR Low frequency Power Amplifier Applications PIN CONFIGURATION 4 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 4. COLLECTOR 1 2 3 C DIM MIN. MAX. E B F A 14.42 16.51 B 9.63 10.67 C 3.56 4.83

Другие транзисторы: CSB1086N, CSB1086P, CSB1086Q, CSB1086R, CSB507, CSB507C, CSB507D, CSB507E, 13009, CSB624, CSB817F, CSB817OF, CSB817YF, CSB834, CSB834O, CSB834Y, CSB856