Справочник транзисторов. CSB817F

 

Биполярный транзистор CSB817F Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: CSB817F
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: TO-3P
 

 Аналог (замена) для CSB817F

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSB817F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:223K  cdil
 csb817f.pdf pdf_icon

CSB817F

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP POWER TRANSISTOR CSB 817FTO 3PPlastic PackageBCEComplementary CSD1047FAudio Power Amplifier and DC to DC ConverterABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25C unless specified otherwise )DESCRIPTION SYMBOL MIN TYP MAX UNITCollector -Base Voltage(open emitter) VCBO 160 VCollector -Emitter

 9.1. Size:133K  cdil
 csb810.pdf pdf_icon

CSB817F

Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyPNP SILICON PLASTIC POWER DARLINGTON TRANSISTOR CSB810(9AW)TO-220 MARKING : CSB810Designed for Relay Drive and Motor DriveABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C)DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNITCollector -Base Voltage VCBO 110 VCollector -Emitter Voltage VCEO 110 VEmitter Base Voltage VEBO

Другие транзисторы... CSB1086Q , CSB1086R , CSB507 , CSB507C , CSB507D , CSB507E , CSB507F , CSB624 , BC557 , CSB817OF , CSB817YF , CSB834 , CSB834O , CSB834Y , CSB856 , CSB856A , CSB856B .

 

 
Back to Top

 


 
.