CSB817F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CSB817F

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 300 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO-3P

 Аналоги (замена) для CSB817F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSB817F даташит

 ..1. Size:223K  cdil
 csb817f.pdf pdf_icon

CSB817F

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP POWER TRANSISTOR CSB 817F TO 3P Plastic Package B C E Complementary CSD1047F Audio Power Amplifier and DC to DC Converter ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C unless specified otherwise ) DESCRIPTION SYMBOL MIN TYP MAX UNIT Collector -Base Voltage(open emitter) VCBO 160 V Collector -Emitter

 9.1. Size:133K  cdil
 csb810.pdf pdf_icon

CSB817F

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON PLASTIC POWER DARLINGTON TRANSISTOR CSB810 (9AW) TO-220 MARKING CSB 810 Designed for Relay Drive and Motor Drive ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 110 V Collector -Emitter Voltage VCEO 110 V Emitter Base Voltage VEBO

Другие транзисторы: CSB1086Q, CSB1086R, CSB507, CSB507C, CSB507D, CSB507E, CSB507F, CSB624, A1941, CSB817OF, CSB817YF, CSB834, CSB834O, CSB834Y, CSB856, CSB856A, CSB856B