CSB834O datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CSB834O  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO-220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для CSB834O

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CSB834O даташит

 8.1. Size:289K  cdil
 csb834.pdf pdf_icon

CSB834O

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON POWER TRANSISTOR CSB834 TO-220 Audio Frequency Power Amplifier Applications. Complementary CSD880 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 60 V Collector -Emitter Voltage VCEO 60 V Emitter- Base Voltage VEBO 7.0 V Collector Curr

Другие транзисторы: CSB507D, CSB507E, CSB507F, CSB624, CSB817F, CSB817OF, CSB817YF, CSB834, 13003, CSB834Y, CSB856, CSB856A, CSB856B, CSB856C, CSB857, CSB857B, CSB857C