CSB857D - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

CSB857D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CSB857D
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
   Корпус транзистора: TO-220

 Аналоги (замена) для CSB857D

 

CSB857D Datasheet (PDF)

 8.1. Size:156K  cdil
 csb857 csb858 csd1133 34.pdf pdf_icon

CSB857D

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company TO-220 Plastic Package CSB857, CSB858 CSD1133, CSD1134 CSB857, 858 PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS CSD1133, 1134 NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS Low frequency Power Amplifier PIN CONFIGURATION 4 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 4. COLLECTOR 1 2 3 C DIM MIN. MAX. B E F A 14.42 16.51 B 9.63

 9.1. Size:207K  cdil
 csb856.pdf pdf_icon

CSB857D

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP PLASTIC POWER TRANSISTOR CSB856 TO-220 Plastic Package LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT VCEO Collector -Emitter Voltage 50 V VCBO Collector -Base Voltage 50 V VEBO Emitter Base Voltage 4.0 V IC Collector Current Continuous 3.0 A PD P

Другие транзисторы... CSB834Y , CSB856 , CSB856A , CSB856B , CSB856C , CSB857 , CSB857B , CSB857C , 2SC1815 , CSB858 , CSB858B , CSB858C , CSB858D , CSC1008 , CSC1008G , CSC1008O , CSC1008R .

History: UN411E

 

 
Back to Top

 


 
.