Биполярный транзистор TT2148 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: TT2148
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 120 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO-3PB
TT2148 Datasheet (PDF)
tt2148.pdf
Ordering number : ENN0000TT2148NPN Triple Diffused Planar Silicon TransistorTT2148Switching Regulator ApplicationsPreliminaryFeaturesPackage Dimensions High breakdown voltage and high reliability.unit : mm Fast switching speed.2022A Wide ASO.[TT2148] Adoption of MBIT process.15.63.24.814.02.01.62.00.61.01 2 31 : Base0.62 : Collec
tt2142.pdf
Ordering number : ENN7550TT2142NPN Triple Diffused Planar Silicon TransistorTT2142Color TV Horizontal DeflectionOutput ApplicationsFeaturesPackage Dimensions High speed.unit : mm High breakdown voltage(VCBO=1500V).2174A High reliability(Adoption of HVP process).[TT2142] Adoption of MBIT process.5.63.4 On-chip damper diode. 16.03.12.82.0 2.1
tt2140ls.pdf
Ordering number : ENN7215ATT2140LSNPN Triple Diffused Planar Silicon TransistorColor TV Horizontal DeflectionTT2140LSOutput ApplicationsFeatures High speed. High breakdown voltage (VCBO=1500V). High reliability (Adoption of HVP process). Adoption of MBIT process. On-chip damper diode.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Co
tt2188 tt2146 tt2178 tt2158.pdf
2003Sanyo Sales ToolSanyo Semiconductor.SPS/ADAPTOR/CHARGERDSC/PDA/B/L and LCD MonitorNB/MBWLANSPS/ADAPTOR/CHARGER10KK/5KK/5KK/MBLOCK BIP H/DLA5648 TT2188/46/94/48/58MAIN SW(SPS)TM3060B/64B/68GLA5645 A2099/C5888L5038 K2624/5/8LSMAIN LA5614M K2678LS/3491SW(ADP/CHA)
tt2140.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor TT2140DESCRIPTIONHigh Breakdown Voltage-: V = 1500V (Min)CBOHigh Switching SpeedLow Collector Saturation Voltage-: V = 3.0V(Max.)@ I = 3.15ACE(sat) CBuilt-in Damper DiodeMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for color TV horizontal output applications.ABSOLUTE
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050