MZT2955 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MZT2955  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: SOT-223

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для MZT2955

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MZT2955 даташит

 ..1. Size:186K  cdil
 mzt3055 mzt2955.pdf pdf_icon

MZT2955

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS MZT2955 PNP MZT3055 NPN SOT-223 Formed SMD Package With excellent Safe Operating Area, ideal for Hi-Fi Amplifier and Switching Regulator Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector Emitter Voltage VCEO 60 V VCBO Collector

Другие транзисторы: CSD545, CSD545D, CSD545E, CSD545F, CSD545G, CSL13002, MZT122, MZT127, 2SB817, TIP122F, TIP127F, TIP2955F, TIP2955HVF, TIP3055F, TIP3055HVF, TIP33AF, TIP33BF