TIP36BF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: TIP36BF  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO-3P

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для TIP36BF

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TIP36BF даташит

 8.1. Size:43K  st
 tip35c tip36c tip36b.pdf pdf_icon

TIP36BF

TIP35C TIP36B/TIP36C COMPLEMENTARY SILICON HIGH POWER TRANSISTORS STMicroelectronic PREFERRED SALESTYPES DESCRIPTION The TIP35C is a silicon Epitaxial-Base NPN transistor mounted in TO-218 plastic package. It is intented for use in power amplifier and switching applications. 3 The complementary PNP type is TIP36C. 2 Also TIP36B is a PNP type. 1 TO-218 INTERNAL SCHEMATIC DI

 8.2. Size:260K  onsemi
 tip35a tip35b tip35c tip36a tip36b tip36c.pdf pdf_icon

TIP36BF

TIP35A, TIP35B, TIP35C (NPN); TIP36A, TIP36B, TIP36C (PNP) Complementary Silicon High-Power Transistors http //onsemi.com Designed for general-purpose power amplifier and switching applications. 25 AMPERE Features COMPLEMENTARY SILICON 25 A Collector Current POWER TRANSISTORS Low Leakage Current - 60-100 VOLTS, 125 WATTS ICEO = 1.0 mA @ 30 and 60 V Excellent DC Gain

 8.3. Size:221K  inchange semiconductor
 tip36b.pdf pdf_icon

TIP36BF

isc Silicon PNP Power Transistor TIP36B DESCRIPTION DC Current Gain- h = 25(Min)@I = -1.5A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -80V(Min) CEO(SUS) Complement to Type TIP35B Current Gain-Bandwidth Product- f = 3.0MHz(Min)@I = -1.0A T C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in gen

 8.4. Size:141K  inchange semiconductor
 tip36 tip36a tip36b tip36c.pdf pdf_icon

TIP36BF

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors TIP36/36A/36B/36C DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type TIP35/35A/35B/35C DC current gain hFE=25(Min)@IC=-1.5A APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications. PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: TIP33CF, TIP34AF, TIP34BF, TIP34CF, TIP35AF, TIP35BF, TIP35CF, TIP36AF, BC639, TIP36CF, 2SC5011, 2SC5419, 2SC5446, 2SC5763, 2SC5803, 2SD2624, D209L