STD03N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STD03N

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 160 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5000

Корпус транзистора: TO-3P-5PIN

 Аналоги (замена) для STD03N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

STD03N даташит

 ..1. Size:392K  sanken-ele
 std03n.pdf pdf_icon

STD03N

Darlington Transistor with built-in compensation diodes STD03N March, 2006 Package--- MT-105 (TO3P 5-pin) Features High collector power dissipation Pc=160W (with TO-3P) Low internal impedance by means of thinner die structure Built-in temperature compensation diode Complementary to STD03P Applications Audio output Equivalent circuit C(3)

 0.1. Size:120K  samhop
 stu03n20 std03n20.pdf pdf_icon

STD03N

STU03N20 Green Product STD03N20 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) ( ) Max Rugged and reliable. 3.28 @ VGS=10V TO-252 and TO-251 Package. 200V 2A 3.59 @ VGS=4.5V G G S S STU SERIES STD SERIES ( ) TO - 252AA D- PAK (

 9.1. Size:387K  sanken-ele
 std03p.pdf pdf_icon

STD03N

Darlington Transistor with built-in compensation diodes STD03P March, 2006 Package ---MT-105 (TO3P 5-pin) Features High collector power dissipation Pc=160W (with TO-3P) Low internal impedance by means of thinner die structure Built-in temperature compensation diode Complementary to STD03N Applications Audio output Equivalent circuit E(1)

 9.2. Size:144K  samhop
 stu03l01 std03l01.pdf pdf_icon

STD03N

STU03L01 Green Product STD03L01 a S mHop Microelectronics C orp. Ver 1.0 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY Super high dense cell design for low RDS(ON). VDSS ID RDS(ON) ( ) Max Rugged and reliable. 0.9 @ VGS=10V TO-252 and TO-251 Package. 100V 2A 1.1 @ VGS=4.5V ESD Protected. G S STU SERIES STD SERIES ( ) TO - 252AA

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BU3150, 2SC5793, 2SB1685, 2SB1686, 2SB1687, 2SC5586, 2SC5830, 2SC5924, BD333, STD03P, 2SC4458, FJX945, 2SC1070B, 2SC1545M, 2SC1741AS, 2SC3359S, 2SC2058S