2SC5145 datasheet, аналоги, параметры транзистора

2SC5145 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC5145 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 8 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: N-TYPE

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для 2SC5145

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

2SC5145 даташит

..1. Size:65K panasonic
2sc5145.pdf pdf_icon

Power Transistors 2SC5145 Silicon NPN triple diffusion planar type Unit mm 8.5 0.2 3.4 0.3 For high breakdown voltage high-speed switching 6.0 0.5 1.0 0.1 Features High-speed switching High collector to base voltage VCBO 1.5max. 1.1max. Wide area of safe operation (ASO) N type package enabling direct soldering of the radiating fin to 0.8 0.1 0.5max. the printed circu

8.1. Size:205K toshiba
2sc5148.pdf pdf_icon