2SC5168 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC5168  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 250

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC5168

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5168 даташит

 ..1. Size:120K  isahaya
 2sc5168.pdf pdf_icon

2SC5168

 8.1. Size:74K  rohm
 2sc5161.pdf pdf_icon

2SC5168

2SC5161 Transistors High-Voltage Switching Transistor (400V, 2A) 2SC5161 External dimensions (Units mm) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.15V (Typ.) 2.3+0.2 6.5 0.2 -0.1 C0.5 (Ic / IB =1A / 0.2A) 5.1+0.2 0.5 0.1 -0.1 2) High breakdown voltage. BVCEO = 400V 3) Fast switching. 0.65 0.1 0.75 tf 1.0 s (Ic = 0.8A) 0.9 0.5 0.1 2.3 0.2 2.3 0.2 1.0 0.2 S

 8.2. Size:113K  isahaya
 2sc5169.pdf pdf_icon

2SC5168

 8.3. Size:182K  tysemi
 2sc5161.pdf pdf_icon

2SC5168

SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMD Type Transistors Product specification 2SC5161 TO-252 Unit mm +0.15 +0.1 6.50-0.15 2.30-0.1 +0.2 +0.8 Features 5.30-0.2 0.50-0.7 Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.15V (Typ.),IC / IB =1A/ 0.2A High breakdown voltage.VCEO =400V 0.127 +0.1 max 0.80-0.1 F

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC5139, 2SC5140, 2SC5141, 2SC5142, 2SC5144, 2SC5145, 2SC5147, 2SC5155, BDT88, 2SC5169, 2SC5175, 2SC5177, 2SC5178, 2SC5179, 2SC5180, 2SC5181, 2SC5182