2SC5183 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC5183  📄📄 

Маркировка: T86

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.09 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 5 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 3 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 9500 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: T86

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC5183

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5183 даташит

 ..1. Size:60K  nec
 2sc5183.pdf pdf_icon

2SC5183

DATA SHEET SILICON TRANSISTOR 2SC5183 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN 4-PIN MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION FEATURES Low Noise PACKAGE DIMENSIONS (Units mm) NF = 1.3 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz NF = 1.3 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz 2.8+0.2 0.3 4-pin Mini-Mold package 1.5+0.2 0.1 EIAJ SC-61 ORDERING

 8.1. Size:58K  nec
 2sc5184.pdf pdf_icon

2SC5183

DATA SHEET SILICON TRANSISTOR 2SC5184 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN SUPER MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION FEATURES PACKAGE DIMENSIONS Low Noise (Units mm) NF = 1.3 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz NF = 1.3 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz 2.1 0.1 Super Mini-Mold package 1.25 0.1 EIAJ SC-70 ORDERING INFORMAT

 8.2. Size:46K  nec
 2sc5186.pdf pdf_icon

2SC5183

DATA SHEET NPN SILICON RF TRANSISTOR 2SC5186 NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION 3-PIN ULTRA SUPER MINIMOLD FEATURES Low noise NF = 1.3 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz NF = 1.3 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz 3-pin ultra super minimold package ORDERING INFORMATION Part Number Quantity Supplying Form 2SC5186 50 pcs (N

 8.3. Size:50K  nec
 2sc5185.pdf pdf_icon

2SC5183

DATA SHEET SILICON TRANSISTOR 2SC5185 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR IN SUPER MINI-MOLD PACKAGE FOR LOW-NOISE MICROWAVE AMPLIFICATION FEATURES PACKAGE DIMENSIONS Low Noise (Units mm) NF = 1.3 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz NF = 1.3 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz 2.1 0.2 Super Mini-Mold package 1.25 0.1 ORDERING INFORMATION PART QUANTITY ARRA

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC5169, 2SC5175, 2SC5177, 2SC5178, 2SC5179, 2SC5180, 2SC5181, 2SC5182, C945, 2SC5184, 2SC5185, 2SC5186, 2SC5190, 2SC5191, 2SC5192, 2SC5193, 2SC5194