Справочник транзисторов. 2SC5609

 

Биполярный транзистор 2SC5609 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC5609
   Маркировка: 3F
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
   Корпус транзистора: SSS
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5609 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:45K  panasonic
2sc5609.pdfpdf_icon

2SC5609

Transistors2SC5609Silicon PNP epitaxial planer typeUnit: mmFor general amplification0.33+0.05 0.10+0.050.02 0.02Complementary to 2SA20213 Features High foward current transfer ratio hFE 0.23+0.05 1 20.02(0.40) (0.40) SSS-mini type package, allowing downsizing and thinning of the0.800.05equipment and automatic insertion through the tape packing1.2

 8.1. Size:30K  sanyo
2sc5607.pdfpdf_icon

2SC5609

Ordering number : ENN6403A2SC5607NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC5607DC / DC Converter ApplicationsApplications Package Dimensions Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, strobes. unit : mm2033AFeatures[2SC5607] Adoption of MBIT processes. 2.24.0 Large current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switching.

 8.2. Size:105K  nec
2sc5602.pdfpdf_icon

2SC5609

DATA SHEETNPN SILICON RF TRANSISTOR2SC5602NPN SILICON RF TRANSISTOR FORLOW NOISE HIGH-GAIN AMPLIFICATION3-PIN ULTRA SUPER MINIMOLDFEATURES High-gain transistor for buffer amplifier : S21e2 = 10.0 dB TYP. @ f = 2 GHz, VCE = 1 V, IC = 5 mA fT = 25 GHz UHS0 (Ultra High Speed Process) technology adopted 3-pin ultra super minimold package (t = 0.75 mm)ORDE

 8.3. Size:98K  nec
2sc5600.pdfpdf_icon

2SC5609

DATA SHEETNPN SILICON RF TRANSISTOR2SC5600NPN SILICON RF TRANSISTORFLAT-LEAD 3-PIN THIN-TYPE ULTRA SUPER MINIMOLDFEATURES Low voltage operation, low phase distortion Ideal for OSC applications Flat-lead 3-pin thin-type ultra super minimold (t = 0.59 mm)ORDERING INFORMATIONPart Number Quantity Supplying Form2SC5600 50 pcs (Non reel) 8 mm wide embossed taping2

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top

 


 
.