2SC5772 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: 2SC5772 📄📄
Маркировка: FR-
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 9 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.075 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6000 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.9 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80
Корпус транзистора: MPAK
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для 2SC5772
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SC5772 даташит
2sc5772.pdf
2SC5772 Silicon NPN Epitaxial UHF / VHF wide band amplifier ADE-208-1390 (Z) Preliminary 1st. Edition Mar. 2001 Features High gain bandwidth product fT = 9 GHz typ. High power gain and low noise figure ; PG = 13 dB typ., NF = 1.1 dB typ. at f = 900 MHz Outline MPAK 3 1 1. Emitter 2 2. Base 3. Collector Note Marking is FR- . This data sheet contains tentative sp
2sc5772.pdf
SMD Type Transistors NPN Transistors 2SC5772 SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features Collector Current Capability IC=75mA 1 2 Collector Emitter Voltage VCEO=9V +0.05 0.95+0.1 -0.1 0.1 -0.01 1.9+0.1 -0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 15 Collecto
2sc5772.pdf
INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN RF Transistor 2SC5772 DESCRIPTION High Gain Bandwidth Product f = 9 GHz TYP. T High power gain and low noise figure ; PG = 13 dB TYP., NF = 1.1 dB typ. @ f = 900 MHz 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in UHF VHF wide band amplifier.
2sc5778.pdf
Ordering number ENN6992 2SC5778 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC5778 Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications Features Package Dimensions High speed. unit mm High breakdown voltage(VCBO=1600V). 2174A High reliability(Adoption of HVP process). Adoption of MBIT process. [2SC5778] On-chip damper diode. 5.6
Другие транзисторы: 2SC5725, 2SC5730, 2SC5739, 2SC5748, 2SC5757, 2SC5758, 2SC5759, 2SC5764, 2SD2499, 2SC5773, 2SC5776, 2SC5778, 2SC5779, 2SC5788, 2SC5791, 2SC5792, 2SC5801
History: CD912 | 2SC4135
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n270 | 2n2924 | mpsa65 | 2sa794 | 2sa816 | 2sc897 datasheet | 2sd389 | mp41 transistor










