2SC5788 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC5788  📄📄 

Маркировка: C5788

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: MT-4-A1

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC5788

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5788 даташит

 ..1. Size:73K  panasonic
 2sc5788.pdf pdf_icon

2SC5788

Power Transistors 2SC5788 Silicon NPN epitaxial planar type Unit mm Power supply for Audio & Visual equipments 10.0 0.2 5.0 0.1 1.0 0.2 such as TVs and VCRs Industrial equipments such as DC-DC converters Features 1.2 0.1 C 1.0 High-speed switching (tstg storage time/tf fall time is short) 1.48 0.2 2.25 0.2 Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)

 8.1. Size:178K  toshiba
 2sc5784.pdf pdf_icon

2SC5788

2SC5784 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5784 Industrial Applications High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications High DC current gain hFE = 400 to 1000 (I = 0.15 A) C Low collector-emitter saturation voltage V = 0.12 V (max) CE (sat) High-speed switching t = 45 ns (typ.) f Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = =

 8.2. Size:182K  toshiba
 2sc5785.pdf pdf_icon

2SC5788

2SC5785 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5785 Industrial Applications High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications Strobe Applications High DC current gain hFE = 400 to 1000 (I = 0.2 A) C Low collector-emitter saturation voltage V = 0.12 V (max) CE (sat) High-speed switching t = 25 ns (typ.) f Maximum Ratings (T

 8.3. Size:94K  nec
 2sc5787.pdf pdf_icon

2SC5788

DATA SHEET NPN SILICON RF TRANSISTOR 2SC5787 NPN SILICON RF TRANSISTOR FOR HIGH-FREQUENCY LOW NOISE 3-PIN LEAD-LESS MINIMOLD FEATURES Ideal for 3 GHz or higher OSC applications Low noise, high gain fT = 20 GHz TYP., S21e 2 = 13 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 20 mA, f = 2 GHz NF = 1.4 dB TYP. @ VCE = 1 V, IC = 5 mA, f = 2 GHz, ZS = Zopt UHS0 technology (fT = 25 GHz) adopte

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC5758, 2SC5759, 2SC5764, 2SC5772, 2SC5773, 2SC5776, 2SC5778, 2SC5779, TIP42, 2SC5791, 2SC5792, 2SC5801, 2SC5804, 2SC5807, 2SC5809, 2SC5812, 2SC5813