Биполярный транзистор 2SA1783
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SA1783
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180
MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5
pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 140
Корпус транзистора: NP
Аналоги (замена) для 2SA1783
2SA1783
Datasheet (PDF)
8.5. Size:161K jmnic
2sa1788.pdf JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1788 DESCRIPTION With TO-247 package Complement to type 2SC4652 APPLICATIONS For audio output applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 EmitterAbsolute maximum ratings(Tc=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNITVCBO Collector-base voltage Open emitt
8.6. Size:161K jmnic
2sa1789.pdf JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1789 DESCRIPTION With TO-247 package Complement to type 2SC4653 Low collector saturation voltage APPLICATIONS For audio output applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 EmitterAbsolute maximum ratings(Tc=25) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNITV
8.7. Size:198K inchange semiconductor
2sa1788.pdf isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1788DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-V = -120V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio and general purpose applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Volt
8.8. Size:198K inchange semiconductor
2sa1789.pdf isc Silicon PNP Power Transistor 2SA1789DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-V = -60V(Min)(BR)CEOGood Linearity of hFEMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio and general purpose applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Volta
Другие транзисторы... 2N3200
, 2N3201
, 2N3202
, 2N3203
, 2N3204
, 2N3205
, 2N3206
, 2N3207
, B772
, 2N3209
, 2N3209AQF
, 2N3209CSM
, 2N3209DCSM
, 2N3209L
, 2N321
, 2N3210
, 2N3211
.