Биполярный транзистор 2SA1826 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SA1826
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: FLP
2SA1826 Datasheet (PDF)
2sa1823.pdf
Ordering number:EN3870PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor2SA182320V/8A Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Adoption of MBIT process.unit:mm Low saturation voltage.2084 Fast swicthing speed.[2SA1823] Large current capacity. It is possible to make appliances more compactbecause its height on board is 9.5mm. Meets radial taping.E
2sa1822.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon PNP Power Transistor 2SA1822DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown VoltageExcellent switching time100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh voltage switching applications.High speed DC-DC converter applicationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050