2SA2011 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SA2011  📄📄 

Маркировка: AR

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 350 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 41 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: PCP

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SA2011

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA2011 даташит

 ..1. Size:50K  sanyo
2sa2011 2sc5564.pdfpdf_icon

2SA2011

Ordering number ENN6305 PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA2011/2SC5564 DC/DC Converter Applications Applications Package Dimensions Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, strobes. unit mm 2038A Features [2SA2011/2SC5564] 4.5 Adoption of MBIT processes. 1.5 1.6 Large current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed

 8.1. Size:57K  sanyo
2sa2016 2sc5569.pdfpdf_icon

2SA2011

Ordering number ENN6309B 2SA2016 / 2SC5569 PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA2016 / 2SC5569 DC / DC Converter Applications Applications Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, flash. Features Adoption of FBET and MBIT processes. High current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switching. Ultrasmall packag

 8.2. Size:50K  sanyo
2sa2016 2sc5569.pdfpdf_icon

2SA2011

Ordering number ENN6309A PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA2016/2SC5569 DC/DC Converter Applications Applications Package Dimensions Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, strobes. unit mm 2163 Features [2SA2016/2SC5569] 4.5 Adoption of FBET and MBIT processes. 1.6 1.5 High current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High

 8.3. Size:50K  sanyo
2sa2013 2sc5566.pdfpdf_icon

2SA2011

Ordering number ENN6307A PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA2013/2SC5566 DC/DC Converter Applications Applications Package Dimensions Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, strobes. unit mm 2038A Features [2SA2013/2SC5566] 4.5 Adoption of FBET and MBIT processes. 1.5 1.6 High current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. Hi

Другие транзисторы: 2SA1982, 2SA1989, 2SA1993, 2SA2004, 2SA2005, 2SA2007, 2SA2009, 2SA2010, BC337, 2SA2014, 2SA2015, 2SA2021, 2SA2022, 2SA2023, 2SA2025, 2SA2028, 2SA2037