2SA2057 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SA2057  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: TO-220D-A1

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SA2057

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA2057 даташит

 ..1. Size:80K  panasonic
2sa2057.pdfpdf_icon

2SA2057

Power Transistors 2SA2057 Silicon PNP epitaxial planar type Unit mm 4.6 0.2 Power supply for audio & visual equipments 9.9 0.3 2.9 0.2 such as TVs and VCRs Industrial equipments such as DC-DC converters 3.2 0.1 Features High speed switching (tstg storage time/tf fall time is short) Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat) 1.4 0.2 2.6 0.1 Supe

 ..2. Size:166K  inchange semiconductor
2sa2057.pdfpdf_icon

2SA2057

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor 2SA2057 DESCRIPTION High speed switching Low collector-emitter saturation voltage 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply for audio & visual equipments such as TVS and VCRS Industrial equipments such as DC-DC converters ABSOLU

 8.1. Size:149K  toshiba
2sa2056.pdfpdf_icon

2SA2057

2SA2056 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type 2SA2056 High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications Strobe Applications High DC current gain hFE = 200 to 500 (IC = -0.5 A) Low collector-emitter saturation voltage VCE (sat) = -0.2 V (max) High-speed switching tf = 90 ns (typ.) Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symb

 8.2. Size:150K  toshiba
2sa2058.pdfpdf_icon

2SA2057

2SA2058 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type 2SA2058 High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications Strobe Applications High DC current gain hFE = 200 to 500 (IC = -0.2 A) Low collector-emitter saturation voltage VCE (sat) = -0.19 V (max) High-speed switching tf = 25 ns (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteri

Другие транзисторы: 2SA2028, 2SA2037, 2SA2043, 2SA2044, 2SA2046, 2SA2047, 2SA2048, 2SA2049, 2N2222A, 2SA2062, 2SA2063, 2SA2064, 2SA2067, 2SA2073, 2SA2074, 2SA2075, 2SA2077