2SB1066M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SB1066M  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 56

Корпус транзистора: ATR

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SB1066M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB1066M даташит

 ..1. Size:46K  rohm
 2sb1066m 2sb1243.pdf pdf_icon

2SB1066M

 8.1. Size:185K  toshiba
 2sb1067.pdf pdf_icon

2SB1066M

 8.2. Size:150K  nec
 2sb1068.pdf pdf_icon

2SB1066M

 8.3. Size:39K  rohm
 2sb1064.pdf pdf_icon

2SB1066M

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SA2140, 2SA2164, 2SA2199, 2SA3886A, 2SA821S, 2SA9012, 2SA9015, 2SA986A, 2SB817, 2SB1076M, 2SB1130AM, 2SB1261-Z, 2SB1321A, 2SB1414, 2SB1446, 2SB1448, 2SB1453