2SD2459. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD2459

Маркировка: 2E

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SC-62

 Аналоги (замена) для 2SD2459

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD2459 даташит

 ..1. Size:37K  panasonic
2sd2459.pdfpdf_icon

2SD2459

Transistor 2SD2459 Silicon NPN epitaxial planer type For low-frequency output amplification Unit mm 1.5 0.1 4.5 0.1 Features 1.6 0.2 High collector to emitter voltage VCEO. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). 45 Mini Power type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the maga- zine packing. 0.4

 ..2. Size:41K  panasonic
2sd2459 e.pdfpdf_icon

2SD2459

Transistor 2SD2459 Silicon NPN epitaxial planer type For low-frequency output amplification Unit mm 1.5 0.1 4.5 0.1 Features 1.6 0.2 High collector to emitter voltage VCEO. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). 45 Mini Power type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the maga- zine packing. 0.4

 ..3. Size:840K  kexin
2sd2459.pdfpdf_icon

2SD2459

SMD Type Transistors NPN Transistors 2SD2459 SOT-89 Unit mm 1.70 0.1 Features Collector Current Capability IC=1A Collector Emitter Voltage VCEO=150V 0.42 0.1 0.46 0.1 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO 150 Collector - Emitter Voltage VCEO 150 V Emitter - Base Voltage V

 8.1. Size:37K  panasonic
2sd2457.pdfpdf_icon

2SD2459

Transistor 2SD2457 Silicon NPN epitaxial planer type For low-frequency power amplification Unit mm 1.5 0.1 4.5 0.1 Features 1.6 0.2 High collector to emitter voltage VCEO. Large collector power dissipation PC. 45 Mini Power type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the maga- zine packing. 0.4 0.08 0.4 0.

Другие транзисторы: 2SD2420, 2SD2423, 2SD2425, 2SD2426, 2SD2441, 2SD2444, 2SD2453, 2SD2457, BC547B, 2SD2460, 2SD2465, 2SD2465A, 2SD2466, 2SD2466A, 2SD2467, 2SD2468, 2SD2469