Биполярный транзистор 2SD2486 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SD2486
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 500
Корпус транзистора: TO-220
2SD2486 Datasheet (PDF)
2sd2486.pdf
Power Transistors2SD2486Silicon NPN triple diffusion planar typeFor power amplification with high forward current transfer ratioUnit: mm10.0 0.2 4.2 0.2Features5.5 0.2 2.7 0.2High forward current transfer ratio hFE which has satisfactorylinearity 3.1 0.1Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)Full-pack package which can be installed to the heat si
2sd2481.pdf
2SD2481 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SD2481 Pulse Motor Drive, Hammer Drive Applications Unit: mm Switching Applications Power Amplifier Applications High DC current gain: hFE = 4000 (min) (V = 2 V, I = 150 mA) CE C Low saturation voltage: V = 1.5 V (max) (I = 1 A, I = 1 mA) CE (sat) C BMaximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics
2sd2480.pdf
2SD2480 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington power transistor) 2SD2480 Micro Motor Drive, Hammer Drive Applications Unit: mm Switching Applications Power Amplifier Applications High DC current gain: hFE = 2000 (min) (V = 2 V, I = 1 A) CE C Low saturation voltage: V = 1.5 V (max) (I = 1 A, I = 1 mA) CE (sat) C BMaximum Ratings (Ta = 25C) Cha
2sd2488.pdf
Inchange Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD2488DESCRIPTIONWith TO-3PN packageDARLINGTONHigh DC current gainMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSAudio ,regulator and general purposeAbsolute maximum ratings(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 200 VCBO
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050