2SD2611. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SD2611
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60
Корпус транзистора: TO-220FN
Аналоги (замена) для 2SD2611
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SD2611 даташит
2sd2611.pdf
2SD2611 Transistors Power Transistor (80V, 7A) 2SD2611 Features 1) Low saturation voltage, typically VCE(sat) = 0.3V at IC / IB =4 / 0.4A. 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Pc = 30W (Tc = 25 C) 4) Wide SOA (safe operating area). 5) Complements the 2SB1672. Absolute maximum ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Limits Unit Collector-base voltage VCBO 100 V Collecto
2sd2614.pdf
2SD2614 Transistors Medium Power Transistor (Motor, Relay drive) (60 10V, 5A) 2SD2614 Features External dimensions (Units mm) 1) Built-in zener diode between collector and base. 2) Strong protection against reverse surges due to 10.0 4.5 "L" loads. 3.2 2.8 3) Built-in resistor between base and emitter. 4) Built-in damper diode. 1.2 1.3 0.8 0.75 ( ) 2.54 2.54 2.6 (1)
2sd2618.pdf
2SD2618 Transistors Power Transistor (80V, 4A) 2SD2618 Features Circuit diagram 1) Darlington connection for a high hFE. C 2) Built-in resistor between base and emitter. 3) Built-in damper doide. 4) Complements the 2SB1676. B R 300 R B Base C Collector E E Emitter Absolute maximum ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Limits Unit Collector-base voltage VCBO 80 V C
2sd2615.pdf
2SD2615 Transistors Power Transistor (120V, 6A) 2SD2615 Features Circuit diagram 1) Darlington connection for high DC current gain. C 2) Built-in resistor between base and emitter. 3) Built-in damper diode. 4) Complements the 2SB1674. B R1 R2 E R1 5.0k B Base C Collector R2 300 E Emitter Absolute maximum ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Limits Unit Collector
Другие транзисторы: 2SD2573, 2SD2575, 2SC6053, 2SD2581, 2SD2582, 2SD2589, 2SD2598, 2SD2607, A1015, 2SD2620J, 2SD2621, 2SD2623, 2SD2627, 2SD2635, 2SD2638, 2SD2639, 2SD2645
History: 2SD1443
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3905 | mj15023 | tip36c transistor | 2sc3320 | 2sc2078 | ac127 transistor | a42 transistor | bc547c






