2SD2649. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD2649

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: TO-3PMLH

 Аналоги (замена) для 2SD2649

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD2649 даташит

 ..1. Size:29K  sanyo
2sd2649.pdfpdf_icon

2SD2649

Ordering number ENN6679A 2SD2649 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SD2649 Color TV Horizontal Deflection Output Applications Features Package Dimensions High speed. unit mm High breakdown voltage(VCBO=1500V). 2174A High reliability(Adoption of HVP process). [2SD2649] Adoption of MBIT process. 5.6 3.4 16.0 3.1 2.8 2.0 2.1 0.9 0.7 1 2 3 1 Bas

 8.1. Size:29K  sanyo
2sd2646.pdfpdf_icon

2SD2649

Ordering number ENN6922 2SD2646 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SD2646 Color TV Horizontal Deflection Output Applications Features Package Dimensions High speed. unit mm High breakdown voltage(VCBO=1500V). 2174A High reliability(Adoption of HVP process). [2SD2646] Adoption of MBIT process. 5.6 3.4 16.0 3.1 2.8 2.0 2.1 0.9 0.7 1 2 3 1 Bas

 8.2. Size:29K  sanyo
2sd2645.pdfpdf_icon

2SD2649

Ordering number ENN6897A 2SD2645 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SD2645 Color TV Horizontal Deflection Output Applications Features Package Dimensions High speed. unit mm High breakdown voltage(VCBO=1500V). 2174A High reliability(Adoption of HVP process). [2SD2645] Adoption of MBIT process. 5.6 3.4 16.0 On-chip damper diode. 3.1 2.8 2.

 8.3. Size:28K  sanyo
2sd2648.pdfpdf_icon

2SD2649

Ordering number ENN6923 2SD2648 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SD2648 Color TV Horizontal Deflection Output Applications Features Package Dimensions High speed. unit mm High breakdown voltage(VCBO=1500V). 2174A High reliability(Adoption of HVP process). [2SD2648] Adoption of MBIT process. 5.6 3.4 16.0 3.1 2.8 2.0 2.1 0.9 0.7 1 2 3 1 Bas

Другие транзисторы: 2SD2623, 2SD2627, 2SD2635, 2SD2638, 2SD2639, 2SD2645, 2SD2646, 2SD2648, 2N2222A, 2SD2650, 2SD2651, 2SD2659, 2SD2663, 2SD2678, 2SD2679, 2SD2687S, 2SD2688LS